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| 设备主要技术参数 | SHLMC request specification | ||
| 1 | 刻打深度 | 设备可提供的刻打点深度范围 | 2.8um |
| 2 | 刻打波长 | 设备可提供的激光源波长范围 | ＞1um |
| 3 | 激光源能量 | 激光源最大能量值 | 2W |
| 4 | 刻打点精度 | 设备刻打点的精度 | ＜±0.3mm |
| 5 | 刻打点直径 | 设备刻打点的直径范围 | 65-70um |
| 6 | 刻打点圆度 | 设备刻打点的圆度范围 | ≤1.1 |
| 7 | 激光源预热时间 | 设备刻打前激光源预热的时间 | near 2mins |
| 8 | 脉冲最大能量 | 设备刻打时激光脉冲的最大能量 | ≥1.5MJ/P |
| 9 | 设备环境温度 | 设备四周的环境温度 | 18℃～28℃ |
| 10 | 脉冲持续时间 | 设备刻打时激光脉冲的持续时间 | ＞80ns |
| 11 | 刻打区域 | 设备可在硅片刻打的范围 | ≥20mm（外周） |
| 12 | 刻打字数 | 设备可以刻打的最大字数 | 18 |
| 设备的硬件技术性能 | SHLMC request specification | ||
| 1 | 平均刻打量 | 设备平均每小时能刻打的硅片数 | ≥100WPH |
| 2 | 激光源life time | 设备激光源能够使用的最大时间 | ＞1year |
| 3 | 故障平均维修时间MTTR | 故障平均维修时间 | ≤4 hours |
| 4 | 设备可运转率Uptime rate | 设备可运转率 | ＞95% |
| 5 | 微环境等级 | 设备内部的微环境净化级别 | ≤Class 100 |
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